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TPD3215M

更新时间:2025-05-18 01:55:09
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TPD3215M 规格参数
  • 现有数量
    0现货
  • 系列
    -
  • 包装
    散装
  • 产品状态
    停产
  • 技术
    GaNFET（氮化镓）
  • 配置
    2 个 N 通道（半桥）
  • FET 功能
    -
  • 漏源电压（Vdss）
    600V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    70A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    34 毫欧 @ 30A，8V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    -
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    28nC @ 8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    2260pF @ 100V
  • 功率 - 最大值
    470W
  • 工作温度
    -40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    模块
  • 供应商器件封装
    模块
芯知识
3.1万
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广东微尔科技有限公司
TPD3215M推荐型号
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