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TPH2010FNH,L1Q

更新时间:2025-05-03 06:37:46
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TPH2010FNH,L1Q的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

TPH2010FNH,L1Q外观图

  • 现有数量：0现货
  • 价格：1 : ￥12.88000剪切带（CT）5,000 : ￥5.19575卷带（TR）
  • 系列：U-MOSVIII-H
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：250 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.6A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：198 毫欧 @ 2.8A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 200μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：7 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：600 pF @ 100 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：1.6W（Ta），42W（Tc）
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：8-SOP Advance（5x5）
  • 封装/外壳：8-PowerVDFN
芯知识
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广东微尔科技有限公司
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