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TPH3208LD

更新时间:2025-06-14 09:05:22
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TPH3208LD 规格参数
  • 现有数量
    0现货
  • 系列
    -
  • 包装
    管件
  • 产品状态
    停产
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    GaNFET（氮化镓）
  • 漏源电压（Vdss）
    650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    20A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    130 毫欧 @ 13A，8V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.6V @ 300μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    14 nC @ 8 V
  • Vgs（最大值）
    ±18V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    760 pF @ 400 V
  • FET 功能
    -
  • 功率耗散（最大值）
    96W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    4-PQFN（8x8）
  • 封装/外壳
    4-PowerDFN
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