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TPH6R30ANL,L1Q

更新时间:2025-05-28 03:33:20

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市创芯联盈电子有限公司
TPH6R30ANL,L1Q
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TPH6R30ANL,L1Q 规格参数

现有数量
0现货
系列
U-MOSVIII-H
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
66A（Ta），45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.3 毫欧 @ 22.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 500μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4300 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），54W（Tc）
工作温度
150°C
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOP Advance（5x5）
封装/外壳
8-PowerVDFN

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广东微尔科技有限公司

TPH6R30ANL,L1Q推荐型号

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