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TPHR9003NL1,LQ

更新时间:2025-06-10 03:21:14

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市诚研翔科技有限公司
TPHR9003NL1,LQ
BOM配单
只做原装正品，提供一站式配套服务
上传BOM

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深圳市高捷芯城科技有限公司
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1237
TOSHIBA
BOM/2023+
原装

深圳市英德州科技有限公司
TPHR9003NL1,LQ
15500
Toshiba
SOP8/23+
BOM配单，终端工厂

深圳市凌涵科技有限公司
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87
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CONN/24+
原装现货，可以开票

深圳市捷立辉科技有限公司
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31019
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只做原装合作一次终身受益

深圳硅原半导体有限公司
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550000
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TPHR9003NL1,LQ 规格参数

现有数量
2,980现货
系列
U-MOSVIII-H
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.9 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
74 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6900 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
800mW（Ta），170W（Tc）
工作温度
150°C
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOP Advance（5x5.75）
封装/外壳
8-PowerTDFN

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广东微尔科技有限公司

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