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TPN13008NH,L1Q

更新时间:2025-05-17 03:51:20
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  • 深圳市炀城实业有限公司

  • TPN13008NH,L1Q

    TPN13008NH,L1Q

  • 5000

  • Toshiba Semiconductor and Storage

  • MOSFET NCH 80V 40A 8TSON/24+

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TPN13008NH,L1Q 规格参数
  • 品牌：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：MOSFET N-CH 80V 40A 8TSON
  • 包装：5000/标准卷带
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：80V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：18A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：13.3 毫欧 @ 9A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 200μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：18nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1600pF @ 40V
  • 功率耗散（最大值）：700mW（Ta），42W（Tc）
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：8-TSON Advance（3.3x3.3）
  • 封装/外壳：8-PowerVDFN
芯知识
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广东微尔科技有限公司
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