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TPN2R805PL,L1Q

更新时间:2025-06-15 10:05:57

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市优尚半导体科技有限公司
TPN2R805PL,L1Q
BOM配单
诚信经营，提供BOM一站式配单服务
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南方芯时代（深圳）科技有限公
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深圳市高捷芯城科技有限公司
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8TSON Advance3.3x3.3/2023+
原装

深圳市炀城实业有限公司
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5000
Toshiba Semiconductor and Storage
X35 PBF POWER MOSFET TRANSISTOR/24+
华为超级供应商，7*24小时技术支持，一站式服务

现代芯城（深圳）科技有限公司
TPN2R805PL,L1Q
75000
一级代理
NEW/NEW
一级代理保证

深圳市英德州科技有限公司
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15500
Toshiba
TSONAdvance8/23+
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24LC08BT-I/SN ICM7555IBAZ-T M13S128168A-6T CY7C68013A-100AXC KLM2G1HE3F-B001 LM4041CIM3-ADJ EP3C5E144C8N KLM4G1YEMD-B031

TPN2R805PL,L1Q 规格参数

现有数量
5,000现货
系列
U-MOSIX-H
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
45 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
139A（Ta），80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.8 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 300μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
39 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3200 pF @ 22.5 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.67W（Ta），104W（Tc）
工作温度
175°C
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-TSON Advance（3.1x3.1）
封装/外壳
8-PowerVDFN

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广东微尔科技有限公司

TPN2R805PL,L1Q推荐型号

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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