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TPN4R712MD,L1Q

更新时间:2025-05-31 17:36:22
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  • 深圳市炀城实业有限公司

  • TPN4R712MD,L1Q

    TPN4R712MD,L1Q

  • 5000

  • Toshiba Semiconductor and Storage

  • MOSFET PCH 20V 36A 8TSON ADV/24+

  • 华为超级供应商，7*24小时技术支持，一站式服务

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TPN4R712MD,L1Q 规格参数
  • 现有数量
    4,904现货
  • 系列
    U-MOSVI
  • 包装
    卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态
    在售
  • FET 类型
    P 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    36A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    2.5V，4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    4.7 毫欧 @ 18A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    1.2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    65 nC @ 5 V
  • Vgs（最大值）
    ±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    4300 pF @ 10 V
  • FET 功能
    -
  • 功率耗散（最大值）
    42W（Tc）
  • 工作温度
    150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    8-TSON Advance（3.1x3.1）
  • 封装/外壳
    8-PowerVDFN
芯产品
1.3万
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广东微尔科技有限公司
TPN4R712MD,L1Q推荐型号

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