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TPS1120DR

更新时间:2025-06-07 00:33:15
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TPS1120DR外观图

TPS1120DR

Texas Instruments FET - 阵列

MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC

  • 封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TPS1120DR 规格参数
  • 标准包装
    1
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    -
  • FET 型
    2 个 P 沟道（双）
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    15V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    1.17A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    180 毫欧 @ 1.5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    5.45nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    -
  • 功率 - 最大
    840mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装
    8-SOIC
  • 包装
    Digi-Reel?
  • 其它名称
    296-1352-6
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