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TSM043NB04CZ

更新时间:2025-05-23 23:45:13

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市集好芯城科技有限公司
TSM043NB04CZ
BOM配单
集好芯城，芯片集成，品质保证
上传BOM

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现代芯城（深圳）科技有限公司
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深圳市星宇佳科技有限公司
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2000
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
TO220/20+
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深圳市杰兴伟业电子有限公司
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300000
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TSM043NB04CZ 规格参数

现有数量
4,166现货
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A（Ta），124A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.3 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
74 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4928 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta），125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3

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广东微尔科技有限公司

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