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TSM080N03PQ56

更新时间:2025-05-13 09:44:47
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HIP6013CB-TTNY255PNACMD-7401-TR1VND5012AKTR-ETPS3800G27DCKRKDS114MAX6315US45D3-TPHB55N03LTA
TSM080N03PQ56的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

TSM080N03PQ56外观图

  • 现有数量：0现货
  • 价格：5,000 : ￥4.86582卷带（TR）
  • 系列：-
  • 包装：卷带（TR）
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14A（Ta），73A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：8 毫欧 @ 14A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：14.4 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：843 pF @ 15 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：-
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：8-PDFN（5x6）
  • 封装/外壳：8-PowerTDFN
芯知识
1.6万
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广东微尔科技有限公司
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