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TSM1NB60CW

更新时间:2025-05-27 18:12:45

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市集好芯城科技有限公司
TSM1NB60CW
BOM配单
集好芯城，芯片集成，品质保证
上传BOM

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展示实力的机会，更是体现服务的开始！

深圳市四雄微电子有限公司
TSM1NB60CW RPG
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2500
TSC
SOT223/18+
四雄微原装价优实在

深圳市捷立辉科技有限公司
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TSC/台湾半导体
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只做原装假一赔万

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深圳市芯齐壹科技有限公司展会宣传
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TO220F/22+
可查官网https//www.icscjh.com/

深圳市芯福林电子科技有限公司
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2500
TSC/台湾半导体
18+/SOT223
只做原装

深圳市中元伟业电子商行
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60000
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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TSC/台半
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深圳市晶美隆科技有限公司
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SOT223/2024+
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TSM1NB60CW 概述

TSM1NB60CW是一款由Toshiba（东芝）公司生产的功率MOSFET，适用于高频开关电源应用。它采用DMOS结构，具有低导通电阻和快速开关特性。该器件的漏源电压（VDSS）为600V，适合在高压电路中使用，例如交流-直流转换器和直流-直流转换器等电源设备中。由于其优化的栅极电荷特性，TSM1NB60CW能够实现高效能的能量转换，在减少开关损耗的同时提高整体效率。此外，它的小型表面贴装封装（SOP Advance）有助于节省电路板空间，并且提高了散热性能。对于需要高可靠性与高性能的工业级电源系统，此款MOSFET是一个理想的选择。在设计时应注意合理的PCB布局以优化热管理和电磁兼容性。

TSM1NB60CW 规格参数

现有数量
0现货
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
6.1 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
138 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.1W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA

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