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TSM210N02CX RFG

更新时间:2025-06-18 10:10:02

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市球芯贸易有限公司
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深圳市星宇佳科技有限公司
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Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SOT23/20+
20+

深圳市粤东诚信电子有限公司
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30000
TSC台半
SOT23/24+
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TSM210N02CX RFG 概述

TSM210N02CX RFG是Toshiba生产的N沟道MOSFET，适用于多种功率控制应用。它采用小型表面贴装封装，有助于节省电路板空间。该MOSFET具有低导通电阻特性，在开关电源、电机驱动和负载切换等应用场景中表现出色。在电源管理电路里，它可以高效地进行电能分配与转换。例如，在直流-直流转换器中，作为开关管使用时能够减少能量损耗并提高整体效率。由于其快速的开关速度和良好的热性能，也适合于高频应用场合。使用时需注意最大电压、电流额定值以及工作温度范围，以确保可靠运行。根据具体的应用需求选择合适的栅极驱动电阻来优化开关性能。如果用于电机驱动，要充分考虑散热设计以保证器件稳定工作。

TSM210N02CX RFG 规格参数

现有数量
140,071现货
系列
-
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25 毫欧 @ 4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
800mV @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
4 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
600 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.56W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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广东微尔科技有限公司

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