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TSM2NB60CP

更新时间:2025-05-08 15:38:43
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K4H561638H-UCCC1.5KE350CALM4866MTEXSN74F244DWRFP6715S6CTRHEF4952BTSII9002CSUTLP126
TSM2NB60CP的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

TSM2NB60CP外观图

  • 现有数量：0现货
  • 价格：5,000 : ￥7.18574卷带（TR）
  • 系列：-
  • 包装：卷带（TR）
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.4 欧姆 @ 1A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：9.4 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：249 pF @ 25 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：44W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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