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TSM4NB65CI C0G

更新时间:2025-03-24 17:43:50
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  • 深圳市炀城实业有限公司

  • TSM4NB65CI C0G

    TSM4NB65CI C0G

  • 5000

  • Taiwan Semiconductor Corporation

  • MOSFET NCHANNEL 650V 4A ITO220/24+

  • 华为超级供应商，7*24小时技术支持，一站式服务

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TSM4NB65CI C0G的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

TSM4NB65CI C0G外观图

  • 现有数量：0现货查看交期
  • 价格：4,000 : ￥9.46595管件
  • 系列：-
  • 包装：管件
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.37 欧姆 @ 2A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：13.46 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：549 pF @ 25 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：70W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：ITO-220AB
  • 封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片
芯知识
1.6万
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广东微尔科技有限公司
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