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TSM60NB099CF

更新时间:2025-06-08 01:20:35

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市优尚半导体科技有限公司
TSM60NB099CF
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诚信经营，提供BOM一站式配单服务
上传BOM

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深圳市炀城实业有限公司
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TSM60NB099CF 规格参数

现有数量
0现货
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
38A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
99 毫欧 @ 5.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
62 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2587 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
69W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
ITO-220S
封装/外壳
TO-220-3 整包

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