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TSM680P06DPQ56

更新时间:2025-04-10 19:02:15
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TSM680P06DPQ56的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

TSM680P06DPQ56外观图

  • 现有数量：0现货
  • 价格：5,000 : ￥8.74864卷带（TR）
  • 系列：-
  • 包装：卷带（TR）
  • 产品状态：在售
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 配置：2 个 P 沟道
  • FET 功能：标准
  • 漏源电压（Vdss）：60V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：68 毫欧 @ 6A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：16.4nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：870pF @ 30V
  • 功率 - 最大值：-
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装/外壳：8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装：8-PDFN（5x6）
芯知识
1.6万
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广东微尔科技有限公司
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