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US6J11TR

更新时间:2025-06-02 21:05:02
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US6J11TR外观图

US6J11TR

ROHM Semiconductor FET - 阵列

MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6

  • 封装:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
US6J11TR 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    -
  • FET 型
    2 个 P 沟道（双）
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    1.3A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    260 毫欧 @ 1.3A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    2.4nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    290pF @ 6V
  • 功率 - 最大
    700mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商设备封装
    UMT6
  • 包装
    带卷 (TR)
芯知识
2.6万
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广东微尔科技有限公司
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