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US6T4TR

更新时间:2025-05-18 00:46:04
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US6T4TR外观图

US6T4TR

ROHM Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路

TRANS PNP 12V 3A TUMT6

  • 封装:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
US6T4TR 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    3A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    12V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    250mV @ 30mA，1.5A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    -
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    270 @ 500mA，2V
  • 功率 - 最大
    1W
  • 频率 - 转换
    280MHz
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商设备封装
    UMT6
  • 包装
    带卷 (TR)
芯知识
2.6万
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广东微尔科技有限公司
US6T4TR相关型号

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