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UTT36N05

更新时间:2025-05-16 11:25:10

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UTT36N05 概述

UTT36N05是由UTC（台湾半导体公司）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-252封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点。其最大漏源电压为55V，在栅极驱动电压为10V时，典型导通电阻仅为20mΩ，适合用于高效直流-直流转换器、电机驱动以及电池管理电路中。在电源管理应用中，UTT36N05常被用作同步整流管或初级开关管，能够有效降低系统功耗并提高效率。由于其快速的开关特性，也适用于高频PWM控制电路。设计时应注意保证栅极驱动电压足够以确保最低的导通损耗，并且在PCB布局上尽量减小寄生电感以避免振荡现象。此外，为提高可靠性，建议在实际应用中加入适当的热管理措施如散热片或风扇冷却。

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