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V200CH8T

更新时间:2025-06-20 22:52:24

供应商
产品型号
服务标识
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厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市创芯联盈电子有限公司
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原型号发票力挺实单

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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专注电子元件十年，只做原装现货

深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市科鑫美电子有限公司
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HARRIS
-/21+
低价出售原装现货可看货假一罚十

深圳市锦泰世纪电子有限公司
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长期回收原装IC

深圳市佳蓓电子有限公司
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2000
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力特
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深圳市万芯时代贸易有限公司
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回收IC
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回收此型号V200CH8T

深圳市芯齐壹科技有限公司展会宣传
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LITTELFUSE/力特
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深圳市莱克讯科技有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市英德州科技有限公司
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V200CH8T 概述

V200CH8T是Vishay公司生产的一款高性能N沟道MOSFET。该器件采用先进的TrenchFET技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频DC-DC转换器、负载开关和电源管理应用。在电源管理电路中，这款MOSFET能够有效降低功耗并提高效率。其最大漏源电压为20V，连续漏极电流可达4.9A（在室温条件下），非常适合便携式设备如智能手机和平板电脑的电源管理系统。此外，它还具备优异的热性能和高可靠性，有助于提升整体电路的稳定性。使用时应注意确保栅极驱动电压不超过最大额定值，并根据具体应用选择合适的PCB布局以优化散热性能。对于负载开关应用，建议配合适当的栅极驱动电阻来控制开关速度，避免过冲现象。

V200CH8T 规格参数

产品培训模块
Metal Oxide Varistors
标准包装
1,000
类别
过电压，电流，温度装置
家庭
TVS - 变阻器，MOV
系列
CH
变阻器电压
200V
电流 - 浪涌
250A
电路数
1
最大交流电压
130VAC
最大直流电压
175VDC
能量
4.0J
封装/外壳
2-SMD，无引线
其它名称
F3461TRV200CH8T-ND

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