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VNB35N07E

更新时间:2025-07-04 00:38:23

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VNB35N07E 概述

VNB35N07E是由STMicroelectronics生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效能电源管理应用。其最大漏极-源极电压为70V，连续漏极电流可达35A，非常适合用于电机驱动、负载开关和DC-DC转换器等需要高效率和可靠性的场合。在电机驱动应用中，可以实现低损耗和高可靠性操作；在电源管理系统中，有助于提升整体系统效率并减少热管理需求。设计时应注意适当的散热措施，并根据具体应用场景调整栅极驱动电路以确保最佳性能。

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