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VP0345N5

更新时间:2025-07-06 02:32:16

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VP0345N5 概述

VP0345N5是来自威兆半导体的一款P沟道MOSFET。它采用SOT-23封装，适合在空间受限的应用中使用。该MOSFET的漏源电压（VDS）可达-30V，在栅源电压（VGS）为-10V时，导通电阻（RDS(on)）典型值低至40mΩ，这有助于降低导通损耗。其连续漏极电流（ID）能力为-4.6A（在25°C条件下），可满足多数低压开关应用需求。由于这些特性，它常被应用于负载开关、电源管理以及便携式设备中的电池保护电路等场景。在实际使用时，需注意散热设计以确保器件工作在安全温度范围内，并且要保证栅极驱动电压足够以实现低导通电阻。

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