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Z0109MNT1G

更新时间:2025-07-04 04:09:21

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ON Semiconductor 三端双向可控硅开关

IC TRIAC SENS GATE BIDIR SOT-223

封装:TO-261-4，TO-261AA

Z0109MNT1G 概述

Z0109MNT1G是安森美半导体生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用SOT-23封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效直流 - 直流转换器、负载开关等应用场合。在电池供电设备中，它能够帮助减少能量损耗，提高整体能效。由于其小尺寸封装，非常适合空间受限的应用环境，如手持式电子设备、无线通信模块等。使用时应注意根据实际电路需求选择合适的栅极驱动电压，并确保散热设计合理以避免过热现象发生。在电路设计中可直接替换同封装其他参数相近的MOSFET，但需注意Vgs(th)阈值电压差异对电路工作的影响。

Z0109MNT1G 规格参数

标准包装
1,000
类别
分离式半导体产品
家庭
三端双向可控硅开关
系列
-
三端双向可控硅开关类型
逻辑 - 灵敏栅极
电压 - 断路
600V
电流 - 导通状态 (It (RMS))（最大）
1A
电压 - 栅极触发器 (Vgt)（最大）
1.3V
电流 - 非重复电涌，50、60Hz (Itsm)
8A @ 60Hz
电流 - 栅极触发电流 (Igt)（最大）
10mA
电流 - 维持(Ih)
10mA
配置
单一
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
供应商设备封装
SOT-223
包装
带卷 (TR)
其它名称
Z0109MNT1G-NDZ0109MNT1GOSTR

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