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ZXMP6A17DN8QTC

更新时间:2025-05-21 06:45:26
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ZXMP6A17DN8QTC 规格参数
  • 现有数量
    0现货查看交期
  • 系列
    -
  • 包装
    卷带（TR）
  • 产品状态
    在售
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 配置
    2 个 P 沟道（双）
  • FET 功能
    -
  • 漏源电压（Vdss）
    60V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    2.7A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    125 毫欧 @ 2.3A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    17.7nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    637pF @ 30V
  • 功率 - 最大值
    1.25W（Ta）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装
    8-SO
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广东微尔科技有限公司
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