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ADT12A60T

更新时间:2025-05-22 21:41:30

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ADT12A60T 概述

2A60T是安森美半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造。该器件专为高效能开关电源应用设计，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压为60V，适用于直流-直流转换器、电机驱动以及负载开关等场合。在实际应用中，由于其低栅极电荷特性，能够显著降低开关损耗，提高整体系统效率。当用于同步整流电路时，需注意PCB布局以减小寄生电感影响。典型应用电路可包括一个简单的降压转换器，其中ADT12A60T作为低压侧开关，与控制IC配合使用，实现稳定输出电压。设计时应确保栅极驱动电压足够高以充分开启MOSFET，并合理选择外围元件参数。

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