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AO6601L

更新时间:2025-07-04 00:05:27
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AO6601L 规格参数
  • 现有数量
    0现货
  • 系列
    -
  • 包装
    卷带（TR）
  • 产品状态
    停产
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 配置
    N 和 P 沟道
  • FET 功能
    -
  • 漏源电压（Vdss）
    30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    3.4A（Ta），2.3A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    60 毫欧 @ 3A，10V，135 毫欧 @ 2.3A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    1.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    4.34nC @ 4.5V，4.8nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    390pF @ 15V，409pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
    1.15W
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    SC-74，SOT-457
  • 供应商器件封装
    6-TSOP
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