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AOD4158P

更新时间:2025-05-30 04:20:57

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市芯国创科技有限公司
AOD4158P
BOM配单
只做原装，支持账期，提供一站式配单服务
上传BOM

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AOD4158P
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展示实力的机会，更是体现服务的开始！

深圳市中元伟业电子商行
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AOS/万代
TO252/24+
1比1质量完美通用/包上机可供更多

深圳市莱克讯科技有限公司
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AOS
TO252/1901+
原包装进口正品现货库存-正规渠道

柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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柒号芯城，离原厂的距离只有0.07公分

深圳市思跃电子有限公司
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20000
AOS
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深圳市芯齐壹科技有限公司展会宣传
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可查官网https//www.icscjh.com/

深圳市优尚半导体科技有限公司
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Alpha Omega Semiconductor Inc.
MOSFET NCH 30V 13A TO252/26+
提供BOM一站式配单服务

深圳市金灿利电子科技有限公司
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深圳市科翼源电子有限公司
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深圳市腾迅辉电子科技有限公司
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军工单位、研究所指定合供方,一站式解决BOM配单

无锡固电半导体股份有限公司
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北京睿宸齐芯科技有限公司
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MOSFET单管,原装和国产替代

深圳市特莱科技有限公司
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深圳市中元伟业电子商行
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TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC63/2024+
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深圳市群川盛达电子有限公司
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20000
AOS硅谷
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深圳市华锐源电子科技有限公司
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AOD4158P 概述

AOD4158P是Alpha and Omega Semiconductor公司生产的一款N沟道增强型MOSFET。它采用PicoFoot封装，具有极小的尺寸，适合高密度应用。该MOSFET的最大漏源电压为30V，在25°C时连续漏极电流可达6.8A。其低导通电阻特性有助于降低功率损耗。它广泛应用于负载开关、电源管理以及便携式设备如智能手机和平板电脑中。在电池供电设备中，它可以高效地控制电源通断，减少不必要的能量消耗。使用时需注意栅极驱动电压要足够使MOSFET完全导通，并且要考虑散热设计以确保器件工作在安全温度范围内。例如在简单的负载开关电路中，可将该MOSFET串联于电源和负载之间，通过控制栅极电平实现对负载的通断控制。

AOD4158P 规格参数

现有数量
0现货
系列
-
包装
散装
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13A（Ta），46A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
18 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1500 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），32W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252（DPAK）
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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苏州固锝电子股份有限公司

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