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AOI2N60A

更新时间:2025-07-03 22:03:38
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AOI2N60A 规格参数
  • 现有数量
    0现货
  • 系列
    -
  • 包装
    管件
  • 产品状态
    不适用于新设计
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    2A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    4.7 欧姆 @ 1A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    11 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）
    ±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    295 pF @ 25 V
  • FET 功能
    -
  • 功率耗散（最大值）
    57W（Tc）
  • 工作温度
    -50°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    通孔
  • 供应商器件封装
    TO-251A
  • 封装/外壳
    TO-251-3 短截引线，IPak
芯知识
3.0万
视频广告HGLS1系列模块电源作为光伏电站的”心脏起搏器”，就相当于光伏储能汇流箱监测系统中的“充电宝”！
广东微尔科技有限公司
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