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AON6413

更新时间:2025-05-24 20:45:50

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

香港晨兴安富利电子有限公司
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AON6413 概述

AON6413是由Alpha and Omega Semiconductor公司生产的N沟道增强型MOSFET。它采用DFN5x6封装，具有低导通电阻特性，适用于高效功率转换应用。该器件广泛应用于直流-直流转换器、电池管理电路以及负载开关等场景中。在笔记本电脑和平板电脑的电源管理系统里，AON6413能有效降低功耗并提升系统效率。使用时需注意驱动电压的选择以确保MOSFET充分开启，减小导通损耗。设计电路时，应考虑其最大漏极电流和功率耗散能力，避免超过额定值造成损坏。

AON6413 规格参数

现有数量
0现货
系列
-
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
22A（Ta），32A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.5 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.7V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
58 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2142 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
6.2W（Ta），48W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-DFN（5x6）
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线

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