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AON6572

更新时间:2025-05-24 13:55:57

供应商
产品型号
服务标识
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厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市集好芯城科技有限公司
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集好芯城，芯片集成，品质保证
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深圳市中元伟业电子商行
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AON6572 概述

AON6572是Alpha and Omega Semiconductor公司生产的一款N沟道功率MOSFET。它采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和栅极电荷，适用于高效直流-直流转换器、不间断电源系统以及电池管理电路等应用场合。在同步整流电路中能显著降低损耗，提高整体效率。其封装形式为DFN5x6，这种小型封装有助于节省PCB空间。使用时应注意其最大漏源电压为30V，连续漏极电流可达40A，在设计PCB布局时要确保良好的散热路径以维持器件稳定工作。

AON6572 规格参数

现有数量
0现货
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
36A（Ta），85A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.2 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
65 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3290 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
6.2W（Ta），48W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-DFN（5x6）
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线

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