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AON7534

更新时间:2025-05-16 05:53:00

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AON7534 概述

AON7534是由Alpha and Omega Semiconductor (AOS)公司生产的P沟道MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻特性，在4.5V栅源电压下最大导通电阻仅为22mΩ。它被广泛应用于电源管理电路中，如负载开关、适配器和电池供电设备等场景。在实际应用时，由于其低导通电阻和快速开关性能，适合用于高效同步整流电路。例如在便携式电子设备的电源管理系统中，可作为负载开关使用，能够有效降低功耗并提高系统效率。设计电路时需要注意，栅极驱动电压应确保完全开启MOSFET以达到最佳导通效果，并且要考虑散热设计以保证器件稳定工作。

AON7534 规格参数

现有数量
120,627现货
系列
-
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A（Ta），30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1037 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3W（Ta），23W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-DFN-EP（3x3）
封装/外壳
8-PowerVDFN

芯知识

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