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AOT11N70

更新时间:2025-05-22 17:25:35

供应商
产品型号
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数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市芯国创科技有限公司
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可查官网https//www.icscjh.com/

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AOT11N70 概述

11N70是Alpha and Omega Semiconductor公司生产的一款高性能N沟道MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频应用。其最大漏源电压为700V，适合在高压电路中使用。这款MOSFET常用于电源管理系统，如交流-直流（AC-DC）和直流-直流（DC-DC）转换器、适配器、LED驱动器以及工业控制设备等。在这些应用场景中，AOT11N70能够有效降低功耗并提高系统效率。在实际应用中，设计者应注意合理选择栅极电阻以优化开关速度，并确保散热设计充分，避免因过热导致的性能下降或损坏。此外，在PCB布局时应尽量缩短源极引线长度，减少寄生电感的影响。对于需要更高可靠性的场合，建议增加适当的保护电路。

AOT11N70 规格参数

标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
700V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
11A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
870 毫欧 @ 5.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
45nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2150pF @ 25V
功率 - 最大
271W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220
包装
管件

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