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AP100N03D

更新时间:2025-06-08 03:57:35

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AP100N03D 概述

AP100N03D是由Alpha & Omega Semiconductor (AOS)公司生产的N沟道MOSFET。该器件采用DFN1006封装，具有超小尺寸特点，适合高密度PCB设计。其最大漏极-源极电压为30V，适用于低压应用如电源管理、负载开关和电池保护电路中。在便携式设备如智能手机和平板电脑中表现优异，能够有效降低导通电阻，减少功耗。使用时应注意遵循推荐的焊盘设计以确保良好焊接效果，并且在处理过程中需注意静电防护以防损坏元件。在电路设计中，建议根据实际负载电流合理选择栅极驱动电阻值以优化开关性能。

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广东微尔科技有限公司

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