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APT12080JVR

更新时间:2025-07-07 19:36:47

供应商
产品型号
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数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市集好芯城科技有限公司
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集好芯城，芯片集成，品质保证
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APT12080JVR 规格参数

现有数量
0现货
系列
POWER MOS V?
包装
散装
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
800 毫欧 @ 7.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
485 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7800 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
450W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
供应商器件封装
ISOTOP?
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC

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