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APT25GP120BDQ1G

更新时间:2025-06-27 17:40:42
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APT25GP120BDQ1G 规格参数
  • 标准包装
    30
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    IGBT - 单路
  • 系列
    POWER MOS 7®
  • IGBT 类型
    PT
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）
    3.9V @ 15V，25A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    69A
  • 功率 - 最大
    417W
  • 输入类型
    标准型
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-247-3
  • 供应商设备封装
    TO-247 [B]
  • 包装
    管件
  • 其它名称
    APT25GP120BDQ1GMIAPT25GP120BDQ1GMI-ND
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