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APT30M36JLL

更新时间:2025-06-07 08:31:24

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

香港晨兴安富利电子有限公司
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APT30M36JLL 概述

APT30M36JLL是Microsemi（已被Microchip收购）生产的一款N沟道MOSFET。该器件采用TOLL（TO-LL）封装，具有低导通电阻和高电流处理能力的特点。其最大漏源电压为36V，适用于高效功率转换应用。典型应用场景包括直流-直流转换器、负载开关和电源管理电路中。由于其紧凑的封装设计和优异的电气性能，特别适合空间受限且对效率要求较高的便携式设备和工业电子系统。在实际应用中，建议关注栅极驱动电压的选择以确保最佳导通性能，并合理布局PCB以优化散热效果。

APT30M36JLL 规格参数

标准包装
10
类别
半导体模块
家庭
FET
系列
POWER MOS 7®
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
300V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
76A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
36 毫欧 @ 38A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
5V @ 2.5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
115nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
6480pF @ 25V
功率 - 最大
463W
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装
ISOTOP?
包装
管件

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