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APT31M100B2

更新时间:2025-06-30 14:07:16
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APT31M100B2 规格参数
  • 标准包装
    30
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    POWER MOS 8™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    1000V（1kV）
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    32A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    380 毫欧 @ 16A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    5V @ 2.5mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    260nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    8500pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    1040W
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-247-3 变式
  • 供应商设备封装
    T-MAX? [B2]
  • 包装
    管件
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