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APT45GP120J

更新时间:2025-05-25 14:59:10
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APT45GP120J 规格参数
  • 标准包装
    10
  • 类别
    半导体模块
  • 家庭
    IGBT
  • 系列
    POWER MOS 7®
  • IGBT 类型
    PT
  • 配置
    单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）
    3.9V @ 15V，45A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    75A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    500µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)
    3.94nF @ 25V
  • 功率 - 最大
    329W
  • 输入
    标准型
  • NTC 热敏电阻
    无
  • 安装类型
    底座安装
  • 封装/外壳
    ISOTOP
  • 供应商设备封装
    ISOTOP?
  • 其它名称
    APT45GP120JMIAPT45GP120JMI-ND
APT45GP120J Datasheet数据手册 PDF下载
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