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APT60DQ100BG

更新时间:2025-07-04 04:57:19

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市芯国创科技有限公司
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只做原装，支持账期，提供一站式配单服务
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深圳市君云达电子科技有限公司
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深圳市纳睿斯电子科技有限公司
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APT60DQ100BG 概述

APT60DQ100BG是Microsemi公司生产的一款功率MOSFET，适用于高效能电源转换应用。该器件采用先进的沟槽技术制造，具备低导通电阻和快速开关特性，有助于减少能量损耗并提升系统效率。其最大漏源电压为100V，适合中高压应用场景如不间断电源（UPS）、直流-直流转换器和电机驱动控制等。在实际应用中，使用APT60DQ100BG时应注意确保散热设计合理，以维持结温在安全范围内。推荐采用适当的散热器，并考虑PCB布局优化热传导路径。对于电路设计，建议关注栅极驱动电路的设计，保证足够的驱动能力来实现快速开关，同时避免过冲导致器件损坏。此外，在高频应用场合下，需特别注意减小寄生电感影响，可通过缩短引线长度和优化PCB走线等方式实现。

APT60DQ100BG 规格参数

产品培训模块
Diode Overview
标准包装
30
类别
分离式半导体产品
家庭
单二极管/整流器
系列
-
二极管类型
标准
电压 - (Vr)（最大）
1000V（1kV）
电流 - 平均整流 (Io)
60A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）
3V @ 60A
速度
快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间(trr)
255ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电
100µA @ 1000V
电容@ Vr, F
-
安装类型
通孔，径向
封装/外壳
TO-247-2
供应商设备封装
TO-247 [B]
包装
管件
其它名称
APT60DQ100BGMIAPT60DQ100BGMI-ND

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