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APT65GP60JDQ2

更新时间:2025-06-10 06:45:55
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APT65GP60JDQ2 规格参数
  • 标准包装
    10
  • 类别
    半导体模块
  • 家庭
    IGBT
  • 系列
    POWER MOS 7®
  • IGBT 类型
    PT
  • 配置
    单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    600V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）
    2.7V @ 15V, 65A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    130A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    1.25mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)
    7.4nF @ 25V
  • 功率 - 最大
    431W
  • 输入
    标准型
  • NTC 热敏电阻
    无
  • 安装类型
    底座安装
  • 封装/外壳
    ISOTOP
  • 供应商设备封装
    ISOTOP®
  • 其它名称
    APT65GP60JDQ2MI APT65GP60JDQ2MI-ND
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