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APTC60AM35SCTG

更新时间:2025-06-13 19:59:01
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APTC60AM35SCTG 规格参数
  • 标准包装
    1
  • 类别
    半导体模块
  • 家庭
    FET
  • 系列
    -
  • FET 型
    2 N 沟道（半桥）
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    72A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    35 毫欧 @ 36A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    3.9V @ 2mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    518nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    14000pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    416W
  • 安装类型
    底座安装
  • 封装/外壳
    SP4
  • 供应商设备封装
    SP4
  • 包装
    散装
  • 其它名称
    APTC60AM35SCTGMIAPTC60AM35SCTGMI-ND
APTC60AM35SCTG Datasheet数据手册 PDF下载
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