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AT24C32N-10SI-2.7

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AT24C32N-10SI-2.7 相关资料
  • 其它信息:

    低压和标准电压操作:2.7(VCC=2.7~5.5V),1.8(VCC=1.8~5.5V);低压器件(ISB=6μA、5.5V);存储空间:4096×8;2线串行接口;施密特触发,噪声抑制滤波输人;双向传输协议;400kHz时钟速率;用于硬件数据保护的写保护引脚;32字节页写模式(允许局部页写操作);自定时写周期(5ms最大值);高可靠性:1000000次循环擦写周期,100年数据保留时间;封装:8引脚的SOIC和TSSOP封装;工作温度范围:工业级温度-40~85℃;存取时间:10ms;工作电压范围:2.7~5.5V

  • 引脚图:

    AT24C32N-10SI-2.7引脚图

AT24C32N-10SI-2.7PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准

AT24C32N-10SI-2.7外观图

  • 标准包装:100
  • 类别:集成电路 (IC)
  • 家庭:存储器
  • 系列:-
  • 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行
  • 存储器类型:EEPROM
  • 存储容量:32K (4K x 8)
  • 速度:100kHz,400kHz
  • 接口:I²C,2 线串口
  • 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-SOIC
  • 包装:管件

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