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AT24C32N-10SI-2.7

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  • 其它信息：

    低压和标准电压操作：2.7（VCC＝2.7～5.5V），1.8（VCC＝1.8～5.5V）；低压器件（ISB＝6μA、5.5V）；存储空间：4096×8；2线串行接口；施密特触发，噪声抑制滤波输人；双向传输协议；400kHz时钟速率；用于硬件数据保护的写保护引脚；32字节页写模式（允许局部页写操作）；自定时写周期（5ms最大值）；高可靠性：1000000次循环擦写周期，100年数据保留时间；封装：8引脚的SOIC和TSSOP封装；工作温度范围：工业级温度－40～85℃；存取时间：10ms；工作电压范围：2.7～5.5V

  • 引脚图：

    AT24C32N-10SI-2.7引脚图

AT24C32N-10SI-2.7PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

AT24C32N-10SI-2.7外观图

  • 标准包装：100
  • 类别：集成电路 (IC)
  • 家庭：存储器
  • 系列：-
  • 格式 - 存储器：EEPROMs - 串行
  • 存储器类型：EEPROM
  • 存储容量：32K (4K x 8)
  • 速度：100kHz，400kHz
  • 接口：I²C，2 线串口
  • 电源电压：2.7 V ~ 5.5 V
  • 工作温度：-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装：8-SOIC
  • 包装：管件
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