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其它信息:
低压和标准电压操作:5.0(VCC=4.5~5.5V),2.7(VCC=2.7~5.5V),2.5(VCC=2.5~5.5V)和1.8(VCC=1.8~5.5V);低压器件(ISB=2μA、5.5V);存储空间:8192×8;2线串行接口;施密特触发,噪声抑制滤波输人;双向传输协议;100kHz(1.8V,2.7V,2.5V)和400kHz(5V)兼容;用于硬件数据保护的写保护引脚;32字节页写模式(允许局部页写操作);自定时写周期(10ms最大值);高可靠性:1000000次循环擦写周期,100年数据保留时间,ESD保护:>3000V;汽车级和扩展温度范围;封装:8引脚的SOIC和TSSOP封装,14引脚的SOIC封装;工作温度范围:商业级温度0~70℃;存取时间:10ms;工作电压范围:4.5~5.5V
引脚图: