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其它信息:
单电压读/写:2.65~3.6V读/写;存取时间为70ns;扇区擦除架构:63个32K字(64KB)主扇区具有独立的写入封锁,8个4K字(8KB)扇区具有独立的写入封锁;快速字编程时间:10μs;典型的扇区擦除时间:100ms;暂停/恢复功能用作擦除和编程:通过不同扇区的暂停擦除,从任何扇区支持读/编程数据,通过任何其他字节/字暂停程序,在非暂停扇区支持读任何字节/字;低功率操作:10mA工电流,15μA待机电流;Data轮询,触发位,Ready/Busy用于程序检测的结束;RESET输入用作设备初始化;提供顶部或底部启动区块配置;128位保护寄存器;最小100000次擦除周期;共用闪存接口(CFI)
引脚图: