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其它信息:
单电压2.65~3.6V读/写操作;存取时间为70ns;扇区擦除架构:63个32K字(64KB)扇区具有独立的写入封锁,8个4K字(8KB)扇区具有独立的写入封锁;快速字编程时间为12μs;快速扇区擦除时间为300ms;暂停/恢复功能用作擦除和编程:通过不同扇区的暂停擦除,从任何扇区支持读/编程数据,通过任何其他字节/字暂停程序,在非暂停扇区支持读任何字节/字;低功率操作:12mA动态电流,13μA待机电流;Data轮询,触发位,Ready/Busy用于程序检测的结束;RESET输入用作设备初始化;扇区程序解锁命令;TSOP和CBGA封装选择;提供顶部或底部启动区块配置;128位保护寄存器;最小100000次擦除周期;共用闪存接口(CFI)
引脚图: