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其它信息:
单电压操作:5V读,5V再编程;快速读存取时间为50ns;内部编程控制和计时器;扇区架构:1个16K字启动区块,具有程序闭锁,2个8K字参数区块,2个(96KB,128KB)主存储区块;快速擦除周期时间为10s;按字节顺序排列的编程为10μs/字节;硬件数据保护;Data轮询用作程序结束检测;典型的10000次写入周期;低功耗:50mA工作电流,100μA CMOS待机电流;工业级温度范围:-40~85℃;tACC(ns):50
引脚图: