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单电压操作：5V读，5V再编程；快速读存取时间为50ns；内部编程控制和计时器；扇区架构：1个16K字启动区块，具有程序闭锁，2个8K字参数区块，2个（96KB，128KB）主存储区块；快速擦除周期时间为10s；按字节顺序排列的编程为10μs/字节；硬件数据保护；Data轮询用作程序结束检测；典型的10000次写入周期；低功耗：50mA工作电流，100μA CMOS待机电流，商业级温度范围：0～70℃； tACC（ns）：70
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