其它信息：

电流参数：I_FM=400mA/I_O=200mA/I_FSM=2.5A/I_FRM=625mA/I_R=100nA
电压参数：U_RRM=200V/U_RWM=U_R=150V/U_R(RMS)=106V/U_(BR)R(I_R=100μA)=120V/U_F(I_F=100mA)=1V
功率：P_D=250mW
其他参数：t_rr=50ns
备注：贴片快速开关二极管

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BAS20外观图

大小：223.39KB
厂家：SUNMATE/森美特
描述：Case: SOT-23 SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE BAS19 - BAS21 Silicon planar epitaxial high speed diode For switching and general purpose applications Parameter Test Conditions Type Symbol Value Unit Working peak reverse voltage BAS19 V RWM 100 V gg =DC Blocking voltage BAS20 RWM =V R 150 V BAS21 200 V Repetitive peak reverse voltage BAS19 V RRM 120 V g BAS20 V RRM 200 V BAS21 V RRM 250 V Peak forward surge current t=1 s I FSM 2.5 A g t=1s I FSM 0.5 A Repetitive peak forward current I FRM 625 mA Average forward current t p <0.3ms I FAV 200 mA Forward current T Case =T L (8mm from Case) =T amb I F 400 mA Power dissipation T Case =T L (8mm from Case) =T amb P tot 250 mW Junction and storage temperature range T j =T stg –55...+150 C Features A E J L TOP VIEW M B C H G D K SOT-23 Dim Min Max A 0.37 0.51 B 1.20 1.40 C 2.30 2.50 D 0.89 1.03 E 0.45 0.60 G 1.78 2.05 H 2.80 3.00 J 0.013 0.10 K 0.903 1.10 L 0.45 0.61 M 0.085 0.180 0 8 All Dimensions in mm Mechanical Data Weight: 0.008 grams
标准包装：3,000
类别：分离式半导体产品
家庭：单二极管/整流器
系列：-
二极管类型：标准
电压 - (Vr)（最大）：200V
电流 - 平均整流 (Io)：200mA
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）：1.25V @ 200mA
速度：小信号 =
反向恢复时间(trr)：50ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电：100nA @ 50V
电容@ Vr, F：5pF @ 0V，1MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
包装：带卷 (TR)

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