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BAS31

更新时间:2025-05-14 22:31:59
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    BAS316
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  • 深圳市金棕榈半导体有限公司

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  • 215000

  • CJ/长晶

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BAS31 相关资料

  • 其它信息：

    电流参数：IF(AV)=200mA/IFSM=1AIR(UR=90V)=100nA
    电压参数：URRM=120V/UF(IF=10mA)=750mV
    功  率：PD=350mW
    其他参数：trr=50ns
    备  注：小信号二极管

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BAS31外观图

  • 大小：34.16KB
  • 厂家：TRSYS [TRSYS]
  • 描述：DUAL SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE
  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：二极管，整流器 - 阵列
  • 系列：-
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）：1V @ 200mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电：100nA @ 90V
  • 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）：200mA
  • 电压 - (Vr)（最大）：120V
  • 反向恢复时间(trr)：50ns
  • 二极管类型：标准
  • 速度：小信号 =
  • 二极管配置：1 对串联
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
  • 包装：Digi-Reel®
  • 其它名称：BAS31FSDKR
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